CEA - Ingénieur Chercheur device CMOS avancé H/F

Vos missionsAu sein d’un environnement scientifique de très haut niveau où vous serez en interaction quotidienne avec des spécialistes reconnus de la microélectronique, de la physique des semi-conducteurs, de la modélisation TCAD et des procédés de fabrication avancés, vous travaillerez sur une vision complète du développement d'un transistor CMOS avancé, depuis sa conception technologique jusqu'à l'analyse détaillée de ses performances électriques. Vous occuperez une position clé à l'interface entre la technologie, la caractérisation électrique et la modélisation physique des dispositifs. Votre mission consistera à comprendre, analyser et améliorer le comportement des transistors CMOS avancés développés au sein du laboratoire afin d'optimiser à la fois leurs performances et les procédés de fabrication associés. Pour cela vous serez amené(e) à :-       Exploiter et analyser les résultats de caractérisations électriques issus des lots de wafers développés au laboratoire ;-       Mettre en relation les résultats expérimentaux avec les simulations et modélisations TCAD afin d'identifier les mécanismes physiques limitant les performances ;-       Développer des méthodologies d'analyse et de traitement de données permettant d'extraire rapidement les paramètres clés des dispositifs ;-       Formuler des recommandations pour l'amélioration des procédés technologiques et des architectures de transistors ;-       Participer aux choix technologiques et aux orientations de développement des futures générations de dispositifs CMOS ;-       Collaborer étroitement avec des experts reconnus en intégration, caractérisation, modélisation et procédés microélectroniques. Au-delà de l'analyse des résultats, vous contribuerez directement à la compréhension physique des dispositifs et à l'amélioration des technologies développées au CEA-Leti.