CEA - Designer photonique de composants III-V sur silicium H/F

CEA

CDI Grenoble IT / Digital
Publiée le
09/04/2026
Contrat
CDI
Localisation
Grenoble
Taille équipe
2000+ emp.
Rémunération
Inconnue
Inconnue ans exp.
Missions clés Définir et optimiser les empilements III-V et III-V sur silicium pour les transceivers. · Concevoir des composants et circuits III-V sur silicium pour les communications haut débit. · Participer à la validation expérimentale des composants et circuits. · Contribuer aux publications, dépôts de brevets et conférences.
Profil recherché Bac +5 (Master 2, Diplôme d'ingénieur) · organisation · communication · synthèse d'informations · travail en équipe
Outils & compétences simulation physique, layout des composants électro-optiques, optique intégrée, matériaux III-V

Le poste en détail

Qui sommes-nous ?Au sein du LETI, institut leader dans l’innovation et le transfert de technologies photoniques et microélectroniques vers l’industrie, nous vous invitons à rejoindre l’équipe de photonique du silicium, constitué d’une quarantaine d’ingénieurs chercheurs, techniciens, alternants et doctorants qui assurent le leadership mondial de notre laboratoire dans la réalisation de composants et circuits photoniques adressant plusieurs domaines applicatifs : les communications optiques très haut débit, l’intelligence artificielle, la photonique quantique, ou encore le LIDAR. Nos compétences couvrent la conception, la fabrication et la caractérisation des puces photoniques sur silicium, avec notamment une expérience forte dans la réalisation de lasers III-V sur silicium, de modulateurs silicium, de photodétecteurs Ge sur Si, ou encore de circuits SiN sur Si offrant des perspectives en rupture pour les applications précitées.Nous rejoindre, pour quoi faire ?Au sein d’un environnement de recherche unique sur une thématique à la pointe de l’innovation, en interaction avec nos équipes de concepteurs, technologues, et de caractérisation, et grâce à nos outils de conception et de layout (optiques électro-optiques, RF), vous aurez pour mission:De définir et optimiser les empilements III-V et III-V sur sillicium spécifiques à chacune des fonctions des transceivers (émetteurs-récepteurs). Les fonctions typiques à développer seraient celles des modulateurs, déphaseurs, amplificateur, etc.,De concevoir des composants et circuits III-V sur silicium, répondant aux enjeux actuels et futurs des communications haut débit sur puce, en intégrant les aspects d’optique, de physique des semiconducteurs et RF afin d’innover dans les architectures de communication en modulation d’intensité et en communications cohérentes,De prendre part à la validation expérimentale des composants et circuits, par de l’analyse de données, nourrissant ainsi les modèles avec des données pour des applications plugglables et co-packaged optics (CPO),Prendre une part active aux publications, dépôts de brevets, et conférences permettant de rendre valoriser les résultats et reconnaitre votre expertise.